Просмотр по

Память на наклонных магнитах годится для интеграции в микрочипы

Память на наклонных магнитах годится для интеграции в микрочипы

О новом, открытом ими способе переключения полярности наномагнитов, рассказали в последнем выпуске Proceedings of the National Academy of Sciences ученые Калифорнийского университета в Беркли (UC Berkeley). Полученные ими результаты будут способствовать перемещению функций хранения больших объемов информации с жестких дисков в интегральные схемы, что, в свою очередь позволит будущим компьютерам мгновенно включаться, работать быстрее и расходовать значительно меньше электроэнергии.

Коллектив под руководством адъюнкт-профессора Сайефа Салахуддина (Sayeef Salahuddin) выяснил, что небольшой наклон магнитов облегчает им переключение даже в отсутствие внешнего магнитного поля. Генерирование последнего требует довольно объемного оборудования и большого расхода энергии, что препятствует интеграции долгосрочной магнитной памяти в процессоры и другие компьютерные чипы. Поэтому перемагничивание без внешнего поля является ключевой целью современных исследований в области спинтроники.

В своей более ранней работе Салахуддин установил, что пропуская ток через редкоземельный металл тантал можно его намагничивать. Однако плотная упаковка наномагнитов в чипе возможна только если ориентировать их перпендикулярно подложке, а в вертикальной позиции переключения полярности в тантале не происходит.

«Мы нашли, что наклонив магнит — угол всего в 2° будет достаточен — можно пользоваться всеми преимуществами высокоплотной магнитной коммутации без приложения внешнего магнитного поля», — комментируя новые результаты сообщает Салахуддин.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *