Просмотр по

Новым конкурентом графена стал трисульфид титана

Новым конкурентом графена стал трисульфид титана

Химики из Линкольнского университета в Небраске, в двух недавних публикациях — в Angewandte Chemie International Edition и в Nanoscale — показали, что свойства нового 2D-материала, трисульфида титана делают его весьма перспективным для электронных приложений.

Теоретическое исследование продемонстрировало, что транспорт электронов в этом материале происходит быстрее, чем в фосфорене и дисульфиде молибдена. Мобильность электронов это важнейший параметр, определяющий быстродействие транзисторов.

Самый известный 2D-материал, графен, не может применяться для изготовления транзисторов из-за отсутствия запрещенной зоны. Трисульфид титана в этом отношении выгодно от него отличается: по ширине запрещенной зоны он приближается к эталонному полупроводнику, кремнию, а кроме того, обеспечивает большой зазор между состояниями «вкл» и «выкл», что помогает различать двоичные «0» и «1».

Запрещенная зона трисульфида также позволяет ему поглощать фотоны солнечного спектра, т.е. этот материал может оказаться полезным и для солнечных батарей.

Теоретические прогнозы были подтверждены в лабораторных испытаниях транзисторов на базе трисульфида титана. Двумерные фрагменты материала для опытов ученые получали, отделяли их от объемного образца с помощью липкой ленты, метод, использовавшийся еще первооткрывателями графена более 10 лет назад.

«До сих пор интерес к свойствам немногослойного трисульфида титана отсутствовал, — отмечает соавтор теоретической части работы, профессор Сяочен Цзэн (Xiao Cheng Zeng). — Мы одними из первых обратили на него внимание, и были весьма впечатлены увиденным».

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *