Просмотр по

В Корее создана первая гибкая память с изменением фазы

В Корее создана первая гибкая память с изменением фазы

Фазовая память (Phase change random access memory, PRAM) сегодня является одним из вероятных кандидатов на роль энергонезависимой памяти следующего поколения для гибкой и носимой электроники. Ключевое требование к памяти для таких приложений – уменьшение рабочего тока. Достичь этого можно уменьшив размер ячейки памяти, как в коммерческой стандартной PRAM, однако схемы на гибких подложках крайне трудно масштабировать до наноуровня из-за их эластичности и фотолитографических ограничений для пластика. Поэтому, практичная гибкая PRAM до сих пор не создана.

Недавно, коллектив отдела материаловедения корейского института KAIST разработал первую гибкую PRAM с силикатной наноструктурой на основе самоорганизующихся блочных сополимеров (BCP). Это устройство использует менее четверти тока обычной PRAM и размещается на пластиковой подложке.

BCP это смесь двух разных полимеров, которые при плазменной обработке имеют тенденцию образовывать упорядоченные массивы с детализацией менее 20 нм. Силикатные наноструктуры локализовали объемные изменения фазовых материалов, что и привело к существенному снижению расхода энергии. Кроме того, инженеры встроили в фазовую память сверхтонкие кремниевые диоды, что позволило подавить помехи между ячейками и реализовать произвольный доступ. Об этом достижении они сообщили в мартовской публикации в журнале ACS Nano.

Другая статья, вышедшая в этом журнале в июне, посвящена альтернативному способу получения сверхнизковольтной PRAM. Он заключается в использовании вместо обычных резисторных нагревателей самоорганизующихся проводящих волокон. Такие волокна с характерным размером менее 10 нм создаются без применения дорогостоящей нанолитографии и генерируют достаточно тепла для переключения фазы материала в нанообъеме. Ток записи составляет менее 20 мкА, это самое низкое значение среди устройств с изменением фазы.

По заявлению авторов работы, продемонстрированная ими простая и инновационная методология создает прочный базис для развертывания коммерческого производства гибкой памяти PRAM.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *