Просмотр по

Транзисторы на основе дисульфида молибдена пригодны для высокотемпературных приложений

Транзисторы на основе дисульфида молибдена пригодны для высокотемпературных приложений

По данным команды исследователей Калифорнийского университета в Риверсайде и Политехнического института Ренсселира (штат Нью-Йорк), дисульфид молибдена считается многообещающим материалом для изготовления термостойких тонкопленочных транзисторов (TFT).

Результаты работы, выполненной под руководством профессора UC Riverside Александра Баландина, показывают, что подобные устройства сохраняют функциональность, как минимум, до 500 Кельвин (220 °C). В испытаниях они продемонстрировали стабильные характеристики даже после двух месяцев эксплуатации в экстремальных условиях. При этом относительно толстые пленки (15-18 слоев) оказались наиболее термоустойчивыми и имели более высокую мобильность при повышенных температурах.

«С ростом температуры мобильность и пороговое напряжение уменьшаются, — указал Баландин в статье для Journal of Applied Physics. — Снижение мобильности ведет к уменьшение тока посредством канал устройства, а падение порогового напряжения, наоборот, увеличивает его. По этой причине поведение тока при увеличении температуры зависит от соотношения между спадами мобильности и порогового напряжения».

Еще одной интригующей особенностью снятых учеными вольт-амперных характеристик стал перегиб при нулевом напряжении, возникающий при температуре выше 450 Кельвин. Этот «результат памяти» аналогичен наблюдаемому в графеновых транзисторах и электронных стеклах, он говорит о потенциальной пригодности материала к использованию в высокотемпературных сенсорах.

«Хотя устройства, сделанные из традиционных полупроводников с большой запрещенной зоной, подобных как карбид кремния или нитрид галлия, имеют предпосылки для расширения рабочего диапазона в высокотемпературную область, они доныне недостаточно рентабельны для широкомасштабного внедрения, — считает Баландин. — Одиночный слой MoS2 включает запрещенную зону 1,9 эВ — больше, нежели у кремния или арсенида галлия, что выгодно позиционирует его для предлагаемого приложения».

Далее на повестке дня исследователей стоит изучение высокотемпературных функций транзисторов и схем на основе дисульфида молибдена, изготовленных промышленными методами, к примеру, химическим осаждением из газовой фазы.

Один комментарий на “Транзисторы на основе дисульфида молибдена пригодны для высокотемпературных приложений”

  1. Pingback: Экзотический класс материалов спинтроники найден с помощью суперкомпьютера | Новости ИТ
  2. Trackback: Экзотический класс материалов спинтроники найден с помощью суперкомпьютера | Новости ИТ

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *