Просмотр по

Карбид кремния — полупроводник для экстремальных условий эксплуатации

Карбид кремния — полупроводник для экстремальных условий эксплуатации

Эксперименты с карбидом кремния в Центре микро- и нанотехнологий Квинсленда (QMNC), продемонстрировали пригодность этого материала для применения как полупроводника в высокопроизводительных сенсорах.

Последние 50 лет кремний был доминирующим полупроводниковым материалом для сенсорных устройств и продолжает оставаться им сегодня в компьютерах, мобильных телефонах, автомобилях и многом другом. Однако, из-за тепловой генерации носителей и утечки посредством переходы, он совершенно не подходит для электронного оборудования, работающего при температурах выше 200 °C.

В высокотемпературном диапазоне устройства подвергаются сильной химической коррозии и механическим нагрузкам, воздействиям, к которым наилучшим образом приспособлен карбид кремния. Его уникальная электронная состав, как утверждает доктор Цзюн Дао (Dzung Dao) из Инженерной школы Гриффита, гарантирует отличную механическую прочность, химическую инертность, термостойкость и электрическую стабильность.

В итогах работы австралийских научных работников, опубликованных в Journal of Materials Chemistry C, впервые рассмотрено влияние механической нагрузки на электропроводность карбида кремния, размещенного на кремниевой основе. Опытный пример SiC промышленного класса был выращен на шестидюймовый пластине кремния командой QMNC под руководством профессора Симы Дмитриева (Sima Dimitrijev).

Карбид кремния уже используется в мощной электронике. Кроме этого, исследование идентифицировало его преимущества для применения в таких областях, как авиация, космос, горнодобывающая, электрохимическая и биомедицинская индустрия.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *