Просмотр по

Создан первый транзистор из двумерного кремния

Создан первый транзистор из двумерного кремния

Самый тонкий в мире кремниевый материал силицен обладает выдающимися электронными свойствами, такими как квантовый спиновый результат Холла, хиральная сверхпроводимость или гигантская магниторезистивность. Аллотропное сродство с объемным кремнием и более низкие температуры синтеза, нежели у графена или у альтернативных 2D-полупроводников, обеспечивают силицену вероятность прямой интеграции с коммерческими полупроводниковыми процессами.

Тем не менее, попытки применения кремниевого структурного аналога графена в наноэлектронных устройствах до сих пор наталкивались на ряд серьезных технологических препятствий.

О решении одной из главных проблем — нестабильности в воздушной среде — сообщили в журнале Nature Nanotechnology сотрудники Инженерной школы Кокрелла при Техасском университете и их итальянские коллеги из Laboratorio MDM, разработавшие первые в мире силиценовые транзисторы.

Новый метод изготовления силицена исключает его соприкосновение с воздухом. Ученые осаждали атомы кремния на тонкой пластине кристаллического серебра в вакуумной камере, а затем наносили на силицен защитный слой оксида алюминия. Приобретенный сэндвич они отделяли от подложки и переносили (серебром вверх) на основу из оксида кремния. Вытравив часть серебра они получали 2 электрода будущего транзистора (источник и сток) с полоской силицена между ними.

Авторы рассчитывают продолжить работу над новыми структурами и методами получения силицена, с прицелом на создание экономичных и быстродействующих компьютерных чипов.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *