Просмотр по

Создан первый рулонный микролазер с электрической накачкой

Создан первый рулонный микролазер с электрической накачкой

Коллектив инженеров из Университета Макгилла в Монреале (Канада) в последнем номере Applied Physics Letters опубликовал сообщение о создании полупроводникового лазера, миниатюрные габариты которого позволяют встраивать его в микрочипы.

Это механизм включает 100 мкм в длину и 5 мкм в диаметре, то есть с трудом различается невооруженным глазом. Для его изготовления авторы создавали напряжения в двумерных наномембранах, закрепленных на подложке, а затем избирательно высвобождали их части. В результате, мембраны сворачивались в тонкие трубки, действующие как оптические полости.

От прочих конструкций миниатюрных лазеров эта выгодно различается тем, что характеристики оптической эмиссии для нее смогут быть точно заданы привычным методом фотолитографии.

Создан первый рулонный микролазер с электрической накачкой

Новейший рулонный или трубчатый лазер сделан из распространенного полупроводника InGaAsP с двумя слоями квантовых ям (InGaAs) толщиной только 7 нм каждый. Пик излучения устройства приходится на длину волны 1,5 мм (телекоммуникационный спектр). Пороговый ток лазера очень низкий, что улучшает результативность и важно для дополнений уровня чипов.

Демонстрировавшиеся до сих пор рулонные лазеры имели только оптическую накачку. Они нуждались в месте для установки дополнительных источников света, что усложняло их конструкцию и делало непрактичной внедрение в микросхемы.

Изготовлять трубчатые лазеры с электрической накачкой сложно, таким образом очень тонкие наномембраны не позволяют эффективно вводить в лазер носители заряда. Ученые преодолели это препятствие, расположив лазер горизонтально на двух опорах, подключенных к электродам. В такой конфигурации носители зарядов попадали в оптическую полость с торцов, минуя тонкие мембранные стенки.

По мнению одного из авторов, самый важный итог этой работы заключается в том, что рулонный лазер с электрической накачкой возможно напрямую переносить на кремниевую платформу, обеспечивая идеальную интеграцию с другими компонентами микросхем.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *